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厂商型号

NSVMMBT589LT1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS LS XSTR PNP 50V

内部编号

277-NSVMMBT589LT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:21000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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NSVMMBT589LT1G产品详细规格

规格书 NSVMMBT589LT1G datasheet 规格书
MMBT/NSVMMBT589LT1G
NSVMMBT589LT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 310mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 2
最小直流电流增益 100@1mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 710
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 SOT-23
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 30
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 310mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 MMBT589L
品牌 ON Semiconductor
晶体管极性 PNP
RoHS RoHS Compliant

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